반도체 전문 기업 로옴(ROHM)이 NVIDIA와 협력해 차세대 AI 데이터센터용 800V 전력 공급 아키텍처 개발에 나섰다. 양사의 협업은 AI 기술 고도화에 필요한 전력 효율성과 시스템 확장성을 확보하기 위한 전략적 파트너십으로 평가된다.
이번에 개발되는 800V 아키텍처는 메가와트급 AI 팩토리와 대형 데이터센터 구축에 최적화된 고전압 전력 시스템이다. 전력 변환 효율을 높이고, 설계 간소화를 유도하는 구조로 기존 54V 시스템 대비 구리 사용량 절감, 에너지 손실 최소화, 고밀도 집적 가능성 등의 장점이 있다.
로옴은 Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드), GaN(질화 갈륨) 등 다양한 전력 반도체 솔루션을 보유하고 있어 AI 인프라에 요구되는 높은 신뢰성과 고효율 설계에 대응할 수 있다.
대표적인 제품인 RY7P250BM MOSFET는 48V 전원 시스템용으로 설계돼, AI 서버의 핫스왑 회로에 적합하며, 세계 주요 클라우드 기업에도 채택된 바 있다. 1.86mΩ 초저 온저항과 업계 최고 수준의 SOA 성능으로 시스템의 안정성과 효율을 높이는 데 기여하고 있다.
SiC 디바이스는 13.8kV AC를 직접 800V DC로 변환하는 송전 기술에도 활용될 수 있으며, 고전압·대전류 환경에서 스위칭 및 도통 손실을 줄여 고효율화를 실현한다. 로옴은 이를 통해 초고압 데이터센터의 송배전 구조 최적화에도 일조할 계획이다.
또한 로옴은 GaN 기술도 함께 강화하고 있다. EcoGaN 시리즈는 150V·650V 제품군과 함께 게이트 드라이버 일체형 IC까지 갖추며, 소형·고속·고효율 전력 시스템 구현에 기여하고 있다. 로옴의 독자 기술인 Nano Pulse Control은 펄스폭을 2ns까지 단축할 수 있어 정밀한 스위칭 제어가 가능하다.
이와 함께, 1200V SiC 모듈 등 고방열·고출력 전력 솔루션도 제공 중으로, 이는 AC-DC 및 DC-DC 컨버터 시스템에 활용돼 대형 AI 전력 인프라의 고집적화에 적합하다.
로옴과 NVIDIA의 협업은 미래 AI 팩토리와 데이터센터 설계 패러다임을 전환할 수 있는 핵심 기술 기반으로, 전력 효율성 향상과 에너지 절감을 동시에 만족시키는 전력 아키텍처의 진화로 주목받고 있다.
